فایل بای | FileBuy
مرجع خرید و دانلود گزارش کار آموزی ، گزارشکار آزمایشگاه ، مقاله ، تحقیق ، پروژه و پایان نامه های کلیه رشته های دانشگاهیفایل بای | FileBuy
مرجع خرید و دانلود گزارش کار آموزی ، گزارشکار آزمایشگاه ، مقاله ، تحقیق ، پروژه و پایان نامه های کلیه رشته های دانشگاهیدانلود بررسی ایمنی زایی ژنهای L7L12 و P39 در موشهای Balac 65ص
| دسته بندی | پزشکی |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 46 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 59 |
تعداد صفحات : 59 صفحه
فصل دوم هدف از این تحقیق بررسی ایمنی زایی ژنهای L7/L12 و P39 در موشهای Balac است.
بنابراین پس از جداسازی و تکثیر ژنهای فوق مراحل زیر در این تحقیق انجام گرفت.
1- لکون نمودن ژنهای فوق در یک ناقل انتقال دهنده Cleaning vector 2- تعیین ترادف نوکلئوتیدی ژنهای جداشده و مقایسه آن با ژنهای L7/L12 3- کلون نمودن ژنها در پلاسمید بیان کننده پروکاریونی Procaryotic expression vector 4- تولید و تخلیص پروتئینهای L7/L12 و P39 5- کلون نمودن آنها در پلاسمید بیان کننده اوکاریوتی Eucaryotic expression vector 6- هاری کردن پلاسمیدهای فوق از آندوتوکسین 7- تزریق پلاسمیدها، بسویه واکنش و سویه بیماریزا بروسلاآبورتوس به موش Balb/C 8- سنجشهای ایمونولوژیک باکتریها و پلاسمیدهایی که برای انجام این پایان نامه استفاده دشه اند بترتیب زیر می باشند: باکتریها: بروسلاآبورتوس سویه های 19S و 544 اشدیشیالکی سویه اشریشیالکی سویه BL21 – اشریشیاکی سویه BL21(DE3(Plyss پلاسمیرها: PGEX4T1 – PRT 28a – SK+(pSK) - Pblue Script-PCDNA3 جداسازی کروموزوم بروسلا آبورتوس 19S: برای تکثیر ج داسازی ژنهای L7/L12 و P39 ابتدا کروموزوم باکتری جداسازی گردید.
مواد: بافر TE: Tris – Hel 10mm EDTA 1.
0mm PH بافر را پس از تهیه برروی 8 تنظیم می نمائیم.
پروتئیناز K: CTAB/NaCl: Nacl 4.
1gr CTAB 10gr DDW 100ml (Final Volume) روش: ابتدا محیط برنسط برات را تهیه و استریل نموده و ml5 از محیط را با بروسط آبورتوس سویه 19S تلقیح می نمائیم.
پس 48 تا 72 ساعت باکتریها رشد کرده و کدورت مناسبی را پیدا می کند.
بقیه مراحل تخلیص کروموزوم بشرح زیر است: 1- 5/1 میلی لیتر از سوسپاستیون فوق را مدت 2 دقیقه در rpm5000 سانتریفوژ می نمائیم.
محلول رویی را دور می ریزیم.
2- Ml576 از بافر TE را بر روی رسوب باکتری اضافه کرده و رسوب را در بافر حل می نمائیم.
سپس ml30 از SDS(10%) و ml3 از پروئیناز K (mg/ml20) را افزوده و بمدت یکساعت در دمای 0C37 نگهداری می نمائیم.
3- پس از مخلوز Ml100 از (M5)NaCl از محلول CTAB/NaCl بمیزان Ml80 اضافه کرده و بمدت 10 دققیق در 0C65 انکوبه می کنیم.
4- هم حجم مخلوط بالا از ترکیب کلروفرم – ایزوآمیل (1/24) به مخلوط افزوده و سپس از مخلوط بمدت 5 دقیقه در rpm10000 سانترفوژ می کنیم.
محلول رویی را به لوله دیگر منتقل می نمائیم.
5- هم حجم محلول روئی ترمیب فنل – کلروفرم – ایزوآمیل (1/24/25) پس از مخلوط بمدت 5 دقیقه در vpr10000 سانتریفوژ کرده و محلول رویی به لوله دیگری منتقل می نمائیم.
6- هم حجم محلول روئی ایزوپروپانل اضافه نموده و مخلوط می کنیم.
پس از چند دقیقه DNA کروموزومی ته نشین شده که می توان بات یک پیپت پاستور آنرا جمع آوری نمائیم.
7- رسوب DNA کروموزومی را با الکل 70% شستشو داده و پس از خشک شدن در مجاورت هوا در Ml100 از بافر TE حل می نمائیم.
بررسی کمی و کیفی DNA کروموزومی: برای تعیین خلوط کروموزوم باکتری از مواد و وسایل زیر استفاده میشود.
1- بافر PBE pH=8(10X) Tris – base 890mM Boric Acid 890mM EDTA 25mM 2- آگارز MP 3- تانک الکتروفورز افقی روش: ابتدا آگارز MP در بافر TBE(0.
5x) را بکم
دانلود بررسی الگوی سنی ازدواج در ایران 30 ص
| دسته بندی | علوم اجتماعی |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 191 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 33 |
تعداد صفحات : 33 صفحه
بسم للله الرحمن الرحیم بررسی الگوی سنی ازدواج در ایران نگارش : دکتر سید حسین واثق تابستان 1380 بازنگری آذر 1382 به نام خدا بررسی الگوی سنی ازدواج در ایران بیان مسئله: کنترل میزان رشد جمعیت یکی از مهمترین شاخصهای توسعه بحساب می آید.
جمعیت دنیا در سال 1950 دو و نیم میلیارد نفر بوده و اکنون از مرز 6 ملیارد نفر گذشته است و پیش بینی می شود در سال 2025 میلادی به 5/8 میلیارد نفر برسد طی همین سالها در ایران روند رشد جمعیت از متوسط دنیا بالاتر بود و جمعیت 10 میلیونی 100 سال قبل اکنون به نزدیک به 7 برابر رسیده است.
کشور جمهوری اسلامی ایران که در دوران سالهای اولیه انقلاب دارای رشد جمعیت بالا و در حدود7/2 (که تا 4/3 نیز ذکر شده است) و در سالهای اخیر این میزان رشد تا حدود 7/1 (و مواردی تا 2/1 نیز ذکر شده) کاهش یافت این کاهش رشد جمعیت ناشی از اجرای طرحها و برنامه های کنترل جمعیت در سالهای اخیر بوده است.
هرم سنی جمعیت ایران در سالهای اول بعد از انقلاب شکلی مخروطی با قاعده پهن به خود گرفت که این شکل نشانگر رشد جمعیت بالا است و در سالهای بعد این رشد بسرعت کنترل و باعث تغییر در شکل نمودار فوق گردید بطوری که اکنون یک ناحیه فرو رفته در قاعده مخروط را می توان بوضوح مشاهده کرد مشابه این تغییر را می توان در نمودار رشد جمعیت کشور های اروپایی و بخصوص در کشور آلمان پس از جنگ جهانی اول مشاهده نمود که البته این تغییر شکل نمودار در اروپا در بین گروه جوانان و افراد میانسال (بویژه مردان ) و بدلیل کشته شدن سربازان در جنگ بوده است در حالی که تغییر شکل مزبور در کشور ما ناشی از کنترل رشد جمعیت و تنظیم خانواده می باشد.
کشور ایران دارای جمعیت جوانی می باشد و برابر آمار (در زمان مطالعه) حدود 35% جمعیت کشور را افراد زیر 18 سال تشکیل می دهند این آمار اهمیت تحقیق در مسائل جوانان و از جمله مسئله ازدواج را روشن تر می نماید.
براساس مطالعات انجام شده در سال 1365 از سوی سازمان ثبت احوال نشان می دهد که 99 در صد از زنان کشور ما موفق به ازدواج می شوند و تنها یک درصد آنان تا پایان عمر خود موفق به ازدواج نمی شوند.
شاخص دیگر میانگین طول مدت ازدواج است که این رقم در جامعه ما بسیار بالا است.
الگوی ازدواج در ایران بر اساس باور مردم به این گونه است که شوهر باید از زن بزرگتر باشد و میزان تفاوت سن حداقل 5 سال را لازم و این اختلاف سن را ضامن بقای خانواده ها می دانند.
همچنین طبق تحقیق انجام شده از سوی سازمان ثبت احوال میزان تفاوت سنی زن و مرد در کشور طی سالهای دهه 60 بین 8/4 تا 1/5 بوده است اخیرا مجلس شورای اسلامی نیز در یک طرح پیشنهادی سن قانونی ازدواج برای مردان 18 و برای زنان را 15 سال اعلام نمود.
آمار های موجود اختلاف سن زن و مرد را در جوامع مختلف و از جمله در جوامع غربی نیز در همین حدود نشان می دهد تا به آنجا که فرمول زیر را که از دوران ارسطو باقی مانده است برای تعیین سن مناسب ازدواج زن و مرد صادق دانسته اند.
7+ (2/ سن مرد) = سن زن نمودار شماره 1: نمایش میانگین سن ازدواج در زن و مرد بر اساس فرمول فوق بر اساس این طرز تفکر و
دانلود بررسی ارتباط آموزشهای فنی و حرفه ای رسمی (بخش صنعت) با نیازهای بازار کار از دیدگاه مدیران صنایع
| دسته بندی | فنی و حرفه ای |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 130 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 145 |
تعداد صفحات : 145 صفحه
دانشگاه علامه طباطبائی دانشکدة روانشناسی و علوم تربیتی پایان نامه جهت اخذ درجه کارشناسی ارشد در رشته برنامه ریزی آموزشی عنوان: بررسی ارتباط آموزشهای فنی و حرفه ای رسمی (بخش صنعت) با نیازهای بازار کار از دیدگاه مدیران صنایع مناطق 9 و 10 شهر تهران در سال 83-1382 استاد راهنما: دکتر احمد آقازاده استاد مشاور: دکتر علی تقی پور ظهیر پژوهشگر: فرهاد شریعتی اسفند 1382 تقدیم به: پدر عزیز و زحمتکشم، مادر مهربان و دلسوزم این آینه های عاطفه و پارسایی که وجودشان برایم همه صبر و امیدواری بوده است.
برادران و خواهرانم که همواره در دوران تحصیل مشوقم بوده‌اند.
چکیده تحقیق: بررسی ارتباط آموزشهای فنی و حرفه ای رسمی (رشته های الکترونیک، الکتروتکنیک) با نیازهای بازار کار از نظر مدیران صنایع (مدیران ردة میانی شامل مدیران فنی، تولید و آموزش) کارخانه ها و مؤسسات مرتبط، در مناطق 9 و 10 شهر تهران، عنوان پژوهش حاضر می باشد که هدف اصلی آن تعیین میزان ارتباط آموزشهای فنی و حرفه ای رسمی (رشته های الکترونیک و الکتروتکنیک) با دانش ها و مهارتهای مورد نیاز مدیران صنایع در بازار بوده است.
در این پژوهش از آمار توصیفی همچون میانگین، انحراف استاندارد، و درصد و همچنین از آمار استنباطی همچون آزمون T تک نمونه ای، جهت پاسخگوئی به سؤالات تحقیق استفاده شده است.
همچنین جمع آوری اطلاعات از طریق پرسشنامة محقق ساخته صورت گرفته است.
به طور کلی، نتایج بدست آمده حاصل از این پژوهش به شرح زیر می باشد: - دانش فارغ التحصیلان هنرستانهای فنی و حرفه ای رسمی (رشته های الکترونیک و الکتروتکنیک) از نظر مدیران صنایع در مناطق 9 و 10 شهر تهران در حد متوسط می باشد.
مهارت فارغ التحصیلان هنرستانهای فنی و حرفه ای رسمی (رشته های الکترونیک و الکتروتکنیک) از نظر مدیران صنایع در مناطق 9 و 10 شهر تهران در حد متوسط می باشد.
مدیران صنایع (مدیران فنی، تولید و آموزش) کارخانه ها و مؤسسات مرتبط در مناطق 9 و 10 شهر تهران، نسبت به برنامه های آموزشی مراکز آموزش فنی و حرفه ای رسمی، شناخت کمی دارند.
مدیران صنایع، میزان قابلیت مهارتهای آموزشی فارغ التحصیلان مراکز فنی و حرفه ای رسمی (رشته های الکترونیک و الکتروتکنیک) را با پیشرفتهای فناوری کم برآورد می کنند.
مدیران صنایع (مدیران فنی، تولید و آموزش) کارخانه ها و مؤسسات مرتبط در مناطق 9 و 10 شهر تهران، مهارت داشتن فارغ التحصیلان هنرستانهای فنی و حرفه ای (رشته های الکترونیک و الکتروتکنیک) در فناوری اطلاعات و ازتباطات (ICT) را انطباق بیشتر دانش و مهارت تخصصی آنها با نیازهای بازار کار را بیشتر از زیاد برآورد کرده اند.
فهرست مطالب عنوان صفحه فصل اول: کلیات تحقیق مقدمه 2 بیان مسئله 5 اهمیت و ضرورت پژوهش 6 اهداف تحقیق 7 سؤالات تحقیق 8 تعاریف عملیاتی واژه ها 11 فصل دوم: مطالعه منابع مربوط به موضوع تحقیق مقدمه 13 مفهوم رشد و توسعة اقتصادی 14 عوامل توسعه اقتصادی 15 نقش منابع انسانی در توسعة اقتصادی 15 آموزش 18 تعریف آموزش و پرورش 20 مفهوم برنامه ریزی آموزشی 23 جایگاه نیازسنجی در برنامه ریزی آموزشی 24 نیازسنجی آموزشی 27 مفهوم نیاز 29 منابع نیازهای آموزشی
دانلود آلودگی هوا 132 ص
| دسته بندی | علوم انسانی |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 406 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 164 |
تعداد صفحات : 164 صفحه
مقدمه: ترکیبات جو هوا مخلوطی از گازهای مختلف است.
گرچه جو زمین ظاهراً به دلیل ماهیت گازی شکل خود بی وزن به نظر می رسد، اما دارای جرمی به مقدار 1014×6/5 تن می باشد.
به استثنای بخار آب، نسبت اختلاط گازهای تشکیل دهنده هوا تا ارتفاع 60 کیلومتری نسبتاً ثابت است.
حدود 99 درصد حجم هوای زمین را دو گاز ازت و اکسیژن تشکیل می دهد که ازت با 78 درصد، پیکره اصلی جو زمین است، بعد از آن اکسیژن قرار دارد، و سایر گازها فقط یک درصد را شامل می شوندو جدول گازهای تشکیل دهنده جو را در یک هوای خشک (بدون بخار آب و آلاینده ها) به صورتهای حجمی و جرمی نشان می دهد که معمولاً تقسیم بندی حجمی آن متداولتر است.
اگر سهم بخار آب موجود در جو را نیز در این تقسیم بندی دخالت دهیم، این نسبتها ثابت نخواهد بود زیرا دمای طبقات پایین جو همیشه در حال تغییر است و با رسیدن دما به نقطه میعان و تبدیل بخار به مایع، درصد حجمی بخارآب در جو تغییر خواهد کرد.
گرچه وزن مولکولی بخار آب از وزن سایر عناصر تشکیل دهنده جو کمتر است، با این وجود بخار آب عمده در لایه های پایین جو متمرکز می باشد.
بیشترین مقدار بخار آب در لایه مجاور سطح زمین است و با افزایش ارتفاع، به سرعت از میزان آن کاسته می شود.
وجود بخار آب در نزدیکی سطح زمین: اولاً به دلیل وجود اقیانوسهاست که منبع اصلی تأمین آن است؛ و ثانیاً سرد بودن لایه های فوقانی جو که مانع از نفوذ بخار آب می شوند.
جالب است بدانیم که مقدار دی اکسید کربن موجود در جو زمین در طول قرن گذشته افزایش پیدا کرده است.
بخشی از این افزایش به دلیل مصرف زیاد سوختهای فسیلی است که نتیجه آن آزاد شدن گاز CO2 است.
علاوه بر ترکیبات دائمی جو که اشاره شد، جو زمین حاوی مواد معلق گوناگون مانند ذرات نمک، گرد و غبار و قطرات بسیار کوچک آب نیز می باشد که نباید آنها را جزء ترکیبات گازی جو به حساب آورد.
اما نقش این مواد، بخصوص قطرات کوچک آب را نیز نمی توان نایده گرفت.
جدول1 – ترکیبات حجمی و جرمی هوای خشک نوع گاز درصد حجمی درصد جرمی ازت اکسیژن آرگون دی اکسید کربن 084/78 946/40 934/0 033/0 51/75 15/23 28/1 046/0 ارتفاع و ساختار جو جو زمین، پوشش عظیم گازی شکل است که اطراف کره زمین قرار گرفته و حتی در سطح آن نیز نفوذ نموده است.
هر مقدار از سطح زمین دور شویم از غلظت هوا کاسته می شود.
بطوری که غلظت هوا در لایه های انتهایی آنقدر کم می شود که بالاخره بطور غیر محسوسی با جو خورشید در هم می آمیزد.
در ابتدا کاهش غلظت هوا بسیار سریع است بطوری که 50 درصد جرم هوا در ارتفاع کمتر از 5/5کیلومتری سطح زمین قرار دارد و نیمی از آنچه باقی می ماند نیز در 5/5 کیلومتر دوم متمرکز است.
به عبارت دیگر سه چهارم جرم هوا در ارتفاع کمتر از 11 کیلومتری سطح زمین پراکنده است.
افزایش غلظت هوا در نزدیک سطح زمین یکی به دلیل جاذبه و دیگری فشاروارده از سطوح بالاتر جو است.
ساختارجو را میتوان از دیدگاههای مختلف مورد بررسی قرار داد.
یکی از معیارهایی که بر اساس آن لایه های جو طبقه بندی می شوند دمای هوا است.
طبقه بندی حرارتی از نظر تغییرات هوا و اثرات مستقیم گرما بسیار با اهمیت می باشد.
با توجه به محدود بودن اطل
طراحی و ساخت یک کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق
| دسته بندی | برق |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 3521 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 82 |
فهرست مطالب
|
صفحه |
عنوان |
|
9 |
پیشگفتار |
|
10 |
فصل اول |
|
11 |
فصل اول: مقدمه ای بر AVR |
|
12 |
1-1میکرو کنترل های TINY AVR |
|
18 |
1-2 میکرو کنترلرهای AT90S |
|
22 |
1-3 میکروکنترلر های MEGAAVR |
|
28 |
1-4 خصوصیات داخلی MEGA 32 |
|
48 |
فصل دوم |
|
49 |
فصل دوم: برنامه Bascom و برنامه نویسی آن |
|
49 |
2-1 برنامه bascom |
|
51 |
2-2 محیط برنامه نویسی |
|
56 |
فصل سوم |
|
57 |
فصل سوم : سنسور های دما |
|
57 |
3-1 ترمومترهای شیشه ای |
|
57 |
3-2 ترمومترهای Bimetal |
|
58 |
3-3 ترمومترهای فشاری |
|
58 |
3-4 ترموکوپل |
|
59 |
3-5 اندازه گیری دما از طریق مقاومت اهمی |
|
60 |
6-3 lm 35 |
|
61 |
فصل چهارم |
|
62 |
ر فصل چهارم :طراحی و ساخت یک کنتر ل دمای دیجیتالی تابلو های برق |
|
62 |
4-1 برنامه و توضیح آن |
|
73 |
4-2 شکل مدار و توضیحاتی در مورد آن |
|
75 |
نتیجه گیری |
|
76 |
مراجع |
پیشگفتار
با ورود میکرو کنترلر ها به بازار الکترونیک و استفاده از آنها کار را بر روی بسیاری از قسمتهای الکترونیک آسان تر نمود و به خصوص در صنعت با در دست گرفتن کنترل قسمتهای مختلف یک کارگاه یا کارخانه صنعتی منجر به تولید بیشتر با کیفیت بهتر شد و افق وسیعی از کار را بر روی سازندگان قطعات الکترونیک گشود. نکته ای که در صنعت بسیار مهم به نظر می رسد اندازه گیری پارامتر هایی مثل دما ، فشار و میزان جابه جایی اجسام و ... می باشد که کار ها توسط سنسور های مختلف انجام می شود اما روز به روز بر تعداد سنسورها افزوده شده و سنسورهای بهتر با قابلیت های بیشتری به بازار عرضه می گردد و همچنین دستگاه هایی که توسط میکرو کنترلر ها ساخته می شود داری انواع مختلفی بوده و کارهای متفاوتی انجام می دهند یکی ازاین دستگاه ها دستگاه کنترل دمای تابلو و اتاقک ها می باشند که توسط میکروکنترلر ها و حتی بردهای الکترونیکی نیز ساخته می شوند.
پروژه مورد توجه و حائز اهمیت در این پایان نامه در خصوص کنترل دما تابلو های برق می باشد که می توان برای ماشینهای جوجه کشی ، محل کار ، تابلو های برق و غیره میتوان استفاده کرد.
در این پایان نامه ابتدا توضیح مختصری راجع به میکرو کنترلر های AVR آورده شده در بخش های بعد یک توضیح راجع به برنامه bascom ،انواع سنسورهای دما می خوانید و در پایان نیز شکل مدار و برنامه نوشته شده در میکرو آورده شده است
فصل اول
مقدمه ای بر AVR
فصل اول : مقدمه ای بر AVR
در این فصل هدف بر این است که یک توضیح کلی در مورد AVR کفته شود
یکی از جدید ترین میکروکنترلر های قوی عرضه شده به بازار الکترونیک متغلق به شرکت ATMEL به نام میکروکنترلرهای AVR می باشد این میکرو کنترلر هشت بیتی به علت وجود کامپایلر های قوی به زبان سطح بالا مورد استقبال فراوانی قرار گرفت یادگیری و استفاده از این میکروکنترلر بسیار ساده می باشد و دامنه استفاده آن بسیار وسیع می باشد
از جمله مزیت های آن حافظه بالاتر نسبت به میکروکنترلر های قبلی و وجود دستورات وسیع میباشد و همچنین بر خلاف زبان های سطح بالا که کدهای بیشتری را نسبت به زبان اسمبلی تولید میکردند تولید کدهارا به مینیمم رسانده و با ایجاد تحولی عظیم در معماری میکروکنترلر ها عملیات را تنها در یک سیکل ماشین انجام می دهد و از 32 رجیستر همه منظوره استفاده می کند که این خود باعث شده که 4 تا 12 بار سریعتر از میکروکنترل های قبلی باشد و دارای حافظه کم مصرف غیرفرار نیز می باشند که و با به کار بردن تکنولوژی شرکت ATMEL حافظه های FLASH وEEPROM در داخل مدار قابل برنامه ریزی هستند
اکثر میکرو کنترلر ها کلاک اسیلاتور به سیستم را را با نسبت 4/1 یا 12/1 تقسیم می کنند که خود باعث کاهش سرعت می شود امادر AVR کلاک اسیلاتور با کلاک داخلی سیستم یکی می شود و هیچ تقسیم کننده ای در داخل AVR وجود ندارد و بنابراین اختلاف فاز کلاک وجود ندارد.
تا قبل از به وجود آمدن AVR ها بیشترین توجه به زبان اسمبلی می شد و توجه خیلی کمی در مورد برنامه نویسی میکروکنترل ها به زبان های سطح بالا می شد.
هدف ATMEL طراحی و معماری میکروکنترل هایی بود که هم برای زبان اسمبلی و هم زبان های سطح بالا مفید باشند به طور مثال در برنامه نویسی C و BASIC می توان یک متغیر محلی به جای متغیر سراسری در داخل زیر برنامه تعریف کرد که در این صورت در زمان اجرای یک زیر برنامه مکانی از حافظه RAM برای متغییر اشغال می شود در صورتی که اگر متغییری به عنوان متغییر سراسری تعریف شود در تمام وقت مکانی از حافظه FLASH را اشغال می کند.
همچنین برای دسترسی سریعتر به منغییرهای محلی و کاهش کد نیاز به افزایش رجیسترهای همه منظوره است AVR ها دارای 32 رجیستر هستند که مستقیم به LOGIC ALU منصل شده اند و تنها در یککلاک سیکل به این واحد دسترسی پیدا می کنند. سه جفت از این از این رجیستر ها می توانند به عنوان رجیستر 16 بیتی استفاده شوند.
میکرو کنترلر های AVR به سه نوع AT90S , TINY AVR و MEGAAVR تقسیم بندی شده اند .
1-1میکرو کنترل های TINY AVR
به طورکلی و نمونه می توان به چند تا از میکروکنترلر های معروف AVR اشاره کرد که عبارتند از ATTINY 10 , 11 , 12 , 15L , 26 , 26L , 28L , 28
شکل 1
برخی از خصوصیات ATTINY 10,11,12
- کارآیی بالا و توان مصرفی کم
- دارای 90 دستورالعمل با کارآیی بالا که اکثرا تنها در ی
- ک سیکل اجرا می شوند
- 8*32 رجیستر کاربردی
- سرعتی تا 8 مگاهرتز
- یک کیلوبایت حافظه FLASH داخلی قابل برنامه ریزی و پایداری آن تا 1000 بار خواندن و نوشتن
- 64 بایت حافظه EEPROM داخلی قابل برنامه ریزی و پایداری آن تا 100000 بار نوشتن و پاک کردن
- قفل برنامه FLASH و حافظه EEPROM
- یک تایمر-کانتر 8 بیتی
- یک مقایسه گر آنالوگ داخلی
- وقفه در اثر تغییر وضعیت پایه
- منابع وقفه داخلی و خارجی
- ارتباط سریال SPI در ATTINY 12
- قابل انتخاب بودن اسیلاتور داخلی برای ATTINY 12
- در حالت فعال 2.2 میلی آمپر و در بیکاری 5/ میلی آمپر
- ولتاژ عملیاتی 1.5 تا 5.5 ولت برای ATTINY 12
- فرکانس کاری تا 8 مگاهرتز
این سری از AVR ها همگی 8 پایه بوده و کمترین تعداد پایه را در AVR ها دارا می باشند.
اما فیوز بیت های این خانواده که در ATTINY 11 برابر 5 فیوز بیت و در ATTINY 12 دارای 8 فیوز بیت می باشند
فیوز بیت ها بیت های قابل برنامه ریزی هستند که با پاک شدن میکرو تاثیری نمی بینند و در واقع تعیین کننده برخی از شرایط کاری میکرو می باشند پیشنهاد می شود جهت آشنایی بیشتر با این فیوز بیت ها به کتاب هایی که در زمینه میکرو کنترلر های avr توشتهشده است مراجعه شود اما برای اطلاع بیشتر برنامه ریزی این فیوز بیت ها در برتامه ای مثل BASCOM کاری بسیار راحت می باشد که در موقع توضیح این برنامه توضیح داده خواهد شد.
ATTINY 15L
شکل 2
خصوصیات این AVR هم دقیقا مثل ATTINY های قبلی است اما دارای تغییراتی و فرق های جزئی می باشد که عبارتند از:
- دو تایمرـ کانتر 8 بیتی
- 4 کانال مبدل آنالوگ به دیجیتال و یک کانال تفاضلی آنالوگ به دیجیتال با کنترل گین X 20
- مدار POWER-ON RESET
- اسیلاتور داخلی کالیبره شده 6/1 مگاهرتزی وقابل تنظیم
- خروجی PWM ,8 بیتی با فرکانس 150 کیلو هرتز
- عملکرد کاملا ثابت
- توان مصرفی در حالت فعال 3 میلی آمپر و در حالت بیکاری 1 میلی امپر
- ولتاژ عملیاتی 2.7 تا 5.5 ولت
- 6 خط ورودی خروجی قابل برنامه ریزی
- دارای 6 فیوز بیت می باشد.
ATTINY 26
دارای خصوصیاتی است که با میکرو های قبلی تا حدودی فرق میکند که در زیر به بعضی از آنها اشاره می کنیم .
- دارای 118 دستورالعمل با کارآیی بالا که اکثرا در یک سیکل اجرا می شوند.
- سرعتی تا 16 مگاهرتز
- 2 کیلو حافظه FLASH قابل برنامه ریزی و پایداری آن تا 1000 بار نوشتن و پاک کردن
- 128 بایت حافظه SRAM
- 128 بایت حافظه EEPROM و پایداری آن تا 100000 بار خواندن و نوشتن
- ایجاد وقفه با تغییر وضعیت بر روی 11 پایه
- یک تایمر ـکانتر 8 بیتی
- یم تایمر ـ کاتنتر 8 بیتی پر سرعت
- دوخروجی PWM فرکانس بالا
- 11 آنالوگ ADC با کنترل گین X1 تا X20 و 8 کانال شیز تفاضلی
- یک مقایسه گر آنالوگ داخلی
- دارای اسیلاتور داخلی
- ولتاژ کاری 2.7 تا 5.5 ولیت برای ATTINY 26L و 4.5 تا 5.5 ولت برای
- فرکانس کاری 8 مگاهرتز برای ATTINY 26L و 16 مگاهرتز برای ATTINY26
خصوصیات AT90S1200
- دارای 89 دستورالعمل
- 8*32 رجیستر کاربردی
- سرعتی تا 12 مگا هرتز
- یک کیلو بایت حافظه FLASH و 1000 بار قابلیت نوشتن و پاک کردن
- 64 بایت حافظه EEPROM داخلی و قابلیت 100000 بار نوشتن و پاک کردن
- توان مصرفی در حالت فعال 12 میلی امپر و در حالت بلیکاری 4/ میلی آمپر
- ولتاژ کاری 2.7 تا 6 ولت برای نوع 4 و 4 تا 6 ولت برای نوع 12
- فرکانس کاری 4 مگاهرتز برای نوع 4 و تا 12 مگاهرتز برای نوع 12
- دارای 15 پایه ورودی و خروجی
- دارای 20 پایه در انواع PDIP , SOIC , SSOP
- دارای 2 فیوز بیت
خصوصیات AT90S2313
- دارای 118 دستورالعمل
- سرعتی تا 10 مگاهرتز
- 2 کیلو بایت حافظه FLASH قابل برنامه ریزی و قابلیت برنامه ریزی تا 1000 بار
- 128 بایت حافظه SRAM
- 128 بایت حافظه EEPROM و قابلیت پاک کردن و نوشتن تا 100000 بار نوشتن و پاک کردن
- یک تایمر ـکانتر 8 بیتی
- یک تایمر ـکانتر 16 بیتی و دارای مدهای CAMPARE , CAPTURE و PWM های 8 یا 9 یا 10 بیتی
- توان مصرفی در حالت فعال 2.8 میلی آمپر و 8/ آمپر در حالت بیکاری
- ولتاژ کاری 2.7 تا 6 ولت برای نوع 4 و 4 تا 6 ولت برای نوع 10
- فرکانس 4 مگاهرتز برای نوع 4 و 12 مگاهرتز برای نوع 10
- 15 خط ورودی و خروجی
- 20 پایه در انواع PDIP , SOIC
- دارای دو فیوز بیت
خصوصیات AT90S2323/LS2323/S2343/LS2343
خصوصیات با نوع قبلی توضیخ داده شده تقریبا یکی است البته با تفاوتهایی جزئی که عبارتند از :
- دارای یک تایمر ـکانتر 8 بیتی
- توان مصرفی در حالت فعال 2.4 میلی آمپر و در حالت بیکاری 5/ میلی آمپر
- ولتاژ کاری 4 تا 6 ولت برای AT90S2323/AT90S2343
- ولتاژ کاری 2.7 تا 6 ولت برای AT90LS2323/AT90LS2343
- فرکانس کاری تا 10 مگاهرتز برای AT90S2323/AT90S2343-10
- فرکانس کاری تا 4 مگاهرتز برای AT90LS2323/AT90LS2343-4
- فرکانس کاری تا 1 مگاهرتز برای AT90LS2343-1
- 3 خط ورودی و خروجی برای AT90S2323/LS2323
- 5 خط ورودی خروجی برای AT90S2343/LS2343
- 8 پایه در انواع PDIP , SOIC
- دارای 2 فیوز بیت
خصوصیات AT90S2333/LS2333/S4433/LS4433
- دارای خصوصیات AT90S2313 به جز در مورد فرکانس کاری و ولتاژ کاری و توع بسته بندی
- توان مصرفی در حالت فعال 3.4 میلی آمپر و در حالت بیکاری 1.4 میلی آمپر
- 2.7 تا 6 ولت برای AT90LS2333/AT90LS4433
- 4 تا 6 ولت برای AT90S2333/AT90S4433
- فرکانس کاری تا 4 مگاهرتز برای انولع LS
- فرکانس کاری تا 8 مگاهرتز برای انواع S
- 20 پایه ورودی خروجی قابل برنامه ریزی
- 28 پایه در بسته بندی PDIP و 32 پایه نوع TQFP
- دارای 6 فیوز بیت قابل برنامه ریزی
خصوصیات AT90S8515
خصوصیات با میکر قبلی یکی است به جز:
- توان مصرفی در حالت فعال 3 میلی آمپرو در حالت بیکاری 1 میلی آمپر
- ولتاژ کاری 2.7 تا 6 ولت برای نوع 4 و 4 تا 6 ولت برای نوع 8
- فرکانس کاری 4 مگاهرتز برای نوع 4 و 8 مگاهرتر برای نوع 8
- 32 پایه ورودی خروجی قابل برنامه ریزی
- 40 پایه در بسته بندی PDIP و 44 پایه در نوع PLCC , TQFP
- دارای 2 فیوز بیت
خصوصیات AT90S8535/LS8535
خصوصیات مثل نوع قبل بجز:
- توان مصرفی در حالت فعال 6.4 میلی آمپر و در حالت بیکاری 1.9 میلی آمپر
- ولتاژ کاری 2.7 تا 6 ولت برای نوع LS و 4 تا 6 ولت برای نوع S
- فرکانس کاری تا 4 مگاهرتز برای نوع LS و 8 مگاهرتز برای نوع S
- دارای 40 پایه در نوع PDIP و 44 پایه در بسته بندی های PLCC, MLF,TQF
1-3 میکروکنترلر های MEGAAVR
مهمترین گروه از AVR ها این گروه می باشد به واسطه اینکه دارای دامنه عملیاتی بسیار زیاد می باشند و قابلیت های بیشتری نسبت به گروه قبلی خود دارند.
مزیتمهمی که به نظر ما در این سری از AVR ها وجود دارد یکی دامنه فرمانی بسیار بالا و دیگری برخی از اعضای این خانواده دارای RTC یا CLOCK SOFT می باشند که این کار باعث شده تا بسیاری از برنامه های نوشته شده بر روی این خانواده کوتاهتر و دقیقتر شود اعضای مهم این گروه عبارتند از: ATMEGA323, 323L, 32, 32L, 128, 128L, 163, 163L, 8,8L, 8515, 8515L, 8535, 8535L, 161L, 161, 162, 162L, 16, 16L, 103, 103L, 169, 169L, 169V, 64, 64L
نکتهای که میان MEGA های هم نام ومتفائت در پسوند شان وجود دارد توان مصرفی و کلاک سیستم آنها می باشد.
در اینجا همه آنها را توضیح نخواهیم داد چون توضیح خود شامل گزارشی کامل و مفصل است این نکته قابل توجه است که تقریبا همگی دارای خصوصیات مشابه می باشند.
توضیحات ATMEGA 8 ,8L
- دارای 130 دستورالعمل
- سرعتی تا 16 مگاهرتز
8 کبلو بایت حافظه FLASH داخلی و قابلیت 10000 بار پاک کردن و نوشتن
- 1024 بایت حافظه SRAM
- 512 بایت حافظه EEPROM داخلی قابل برنامه ریزی و قابلیت 100000 بار نوشتن و پاک کردن
- دوتایمر ـ کانتر مجزا 8 بیتی
- یک تایمر ـکانتر 16 بیتی
- 8 کانال مبدل دیجیتال به آنالوگ در بسته بندی های TQFP , MLF
- 6 کانال مبدل دیجیتال به آنالوگ در بسته بندی PDIP
- قابلیت SPI
- قابلیت ارتباط د وسیمه
- ولتاپ عملیاتی 2.7 تا 5.5 برای MEGA8L و 4.5 تا5.5 برای MEGA8
- فرکانس تا 8 مگاهرتز برای نوع L و 16 مگاهرتز برای نوع معمولی
- 23 خط ورودی و خروجی قابل برنامه ریزی
- 28 پایه در بسته بندی PDIP و 32 پایه در TQFP , MLF
- دارای دو بایت فیوز بی
توضیحات ATMEGA 16,16L
تقریبا مثل نوع قبل فقط دارای تعداد پایه های ورودی خروجی بیشتر و حافظه بیشتر
- دارای 131 دستورالعمل
- سرعتی تا حدود 16 مگاهرتز
- 16 کیلو بایت حافظه FLASH داخلی قابل برنامه ریزی و قابلیت 10000 بار نوشتنو پاک کردن
- 1024 بایت حافظه داخلی SRAM
- 512 بایت حافظه EEPROM
- قابلیت ارتباط STAG
- دو تایمرـ کانتر 8 بیتی مجزا
- یک تایمرـ کانتر 16 بیتی
- 8 کانال مبدل دیجیتال به آنالوگ 10 بیتی
- ولتاژ کاری 2.7 تا 5.5 برای نوع L و4.5 تا 5.5 برای نوع معمولی
- فرکانس کاری 8 مگاهرتز برای نوع L و 16 مگات هرتز برای نوع معمولی
- 32 پایه قابل برنامه ریزی
- 40 پایه در بسته بندی PDIP و 44 پایه در بسته بندی TQFP , MLF
- دارای 2 بایت فیوز بیت.
توضیحات ATMEGA 32 , 32L
مهمترین عضو این خانواده می باشد چون همه قابلیت های یک AVR را دارا می باشد و بیشترین استفاده را در ساخت پروژه ها دارا می باشد
- دارای 131 دستورالعمل
- سرعتی تا 16 مگاهرتز
- 32 کیلو بایت حافظه FLASH داخلی و قابلیت 10000 بار پاک کردن و نوشتن
- 2 کیلو بایت حافظه SRAM
- 1024 بایت حافظه EEPROM با قابلیت 100000 بار خواندن و نوشتن
- قابلیت JTAG
- دو تایمر ـ کانتر 8 بیتی
- یک تنایمر ـ کانتر 16 بینتی
- 4 کانال PWM
- 8 کانال مبدل آنالوگ به دیجیتال 10 بیتی با کنترل گین 1 , 10 , 200X
- دارای RTC
- ولتاژ عملیاتی 2.7 تا 5.5 برای نوع L و 4.5 تا 5.5 ولت برای نوع معمولی
- فرکانس کاری تا 8 مگا هرتز برای نوع L و تا 16 مگاهرتز برای نوع معمولی
- 32 پایه ورودی خروجی
- 40 پایه در بسته بندی PDIP و 44 پایه در بسته بندی TQFP , MLF
- دارای دو بایت فیوز بیت
توضیحات ATMEGA 64 , 64L
این میکرو نیز یکی از مهمترین اعضای این خاواده می باشد به واسطه دارای بودن همه امکانات و حافظه و تعداد پایه های بیشتر
- دارای 130 دستورالعمل
- سرعتی تا حدود 16 مگاهرتز
- 64 کیلوبایت حافظه بمشسا داخلی قابل برنامه ریزی تا 10000 بار
- 4 کیلو بایت حافظه داخلی SRAM
- 2 کیلو بایت حافظه EEPROM و قابلیت پاک کردن و نوشتن تا 100000 بار
- دو تایمر ـ کانتر 8 بیتی مجزا
- دو تایمر ـکانتر 16 بیتی
- 2 کانال PWM 8 بیتی.